大家好，来看一则(zé)突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日(rì)前(qián)，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法对美光公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公司产品存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成(chéng)重大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安(ān)全审查的结论。按(àn)照《网络安(ān)全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审查(chá)，目的是防范产品网(wǎng)络(luò)安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安(ān)全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国(guó)法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国(guó)网(wǎng)信网发文(wén)称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链安(ān)全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络(luò)安全(quán)法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是(shì)全(quán)球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fè唇炎吃什么维生素，唇炎吃什么维生素好n)额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。唇炎吃什么维生素，唇炎吃什么维生素好p>

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大(dà)和第三(sān)大(dà)供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链上下游建(jiàn)立(lì)国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)签署了(le)长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场(chǎng)的(de)供应优势(shì)，公司(sī)也与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入(rù)美(měi)国限制名单，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业(yè)务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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